Rootsemicon TRM
Ø1200V SiC MOSFET Rsp（mΩ*cm2）
*Rsp의 정의 : 특정 면적당 온 저항 (Ω⋅cm2)
Specific On-Resistance가 중요한 이유
칩 크기 축소 가능 → 동일한 온 저항을 유지하면서 칩 크기를 줄일 수 있음
→ 웨이퍼당 수율 증가 → 원가 절감
전력 손실 감소 → 저항이 낮을수록 전력 손실(= 열발생)이 줄어들어
고효율 시스템 구현 가능
고전압 환경에서도 경쟁력 유지 → 낮은 Ron,spR_{\text{on,sp}}Ron,sp를 유지하면
고전압에서도 낮은 손실을 보장할 수 있음
SiC MOSFET의 칩 크기 경쟁력을 높이려면 Ron,spR_{\text{on,sp}}Ron,sp를 낮추는 것이 필수!
#2720, Sambo Techno Tower, 122, Jomaru-ro 385beon-gil, Wonmi-gu, Bucheon-si, Gyeonggi-do, 14556, Korea
Tel. 070-4349-0077 l Fax. 02-6280-2023
E-mail. rootsemi@rootsemicon.co.kr
Copyright ⓒ 2025 ROOTSEMICON All reserved.
